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2SC2458L-GRFT: 产品描述Bipolar Transistors - BJT ELECTRONIC COMPONENT; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小176KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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Bipolar Transistors - BJT ELECTRONIC COMPONENT

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Gain Bandwidth Product fT	80 MHz
Continuous Collector Current	150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	70
DC Current Gain hFE Max	700
系列 Packaging	Bulk
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	200 mW
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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