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74ABT899D-T

产品描述Bus Transceivers 9-BIT LATCH XCVR W/PARITY 3-S
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小124KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74ABT899D-T在线购买

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74ABT899D-T概述

Bus Transceivers 9-BIT LATCH XCVR W/PARITY 3-S

74ABT899D-T规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
系列ABT
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e4
长度17.9 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型REGISTERED BUS TRANSCEIVER
湿度敏感等级1
位数9
功能数量1
端口数量2
端子数量28
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大电源电流(ICC)34 mA
传播延迟(tpd)9 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5 mm

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INTEGRATED CIRCUITS
74ABT899
9-bit dual latch transceiver with 8-bit
parity generator/checker (3-State)
Product specification
Supersedes data of 1993 Oct 04
IC23 Data Handbook
1998 Jan 16
Philips
Semiconductors

74ABT899D-T相似产品对比

74ABT899D-T 74ABT899A 74ABT899D
描述 Bus Transceivers 9-BIT LATCH XCVR W/PARITY 3-S Bus Transceivers 9-BIT LATCH XCVR W/PARITY 3-S Bus Transceivers 9-BIT LATCH XCVR W/PARITY 3-S
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
系列 ABT ABT ABT
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 S-PQCC-J28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e4 e2 e4
长度 17.9 mm 11.5062 mm 17.9 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER
湿度敏感等级 1 1 1
位数 9 9 9
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 28 28 28
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP QCCJ SOP
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 245 260
最大电源电流(ICC) 34 mA 34 mA 34 mA
传播延迟(tpd) 9 ns 9 ns 9 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 4.57 mm 2.65 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Tin/Silver (Sn/Ag) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 7.5 mm 11.5062 mm 7.5 mm
Is Samacsys - N N
控制类型 - INDEPENDENT CONTROL INDEPENDENT CONTROL
计数方向 - BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大I(ol) - 0.064 A 0.064 A
封装等效代码 - LDCC28,.5SQ SOP28,.4
电源 - 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup - 4.9 ns 4.9 ns
翻译 - N/A N/A
Base Number Matches - 1 1
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