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HSMS-8101-TR2G

产品描述RF Mixer 4 VBR 0.26 pF
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小179KB,共6页
制造商Broadcom(博通)
标准
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HSMS-8101-TR2G在线购买

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HSMS-8101-TR2G概述

RF Mixer 4 VBR 0.26 pF

HSMS-8101-TR2G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大二极管电容0.26 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带KU BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最大工作频率14 GHz
最小工作频率10 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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HSMS-8101, 8202, 8207, 8209
Data Sheet
Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes
Description/Applications
These low cost microwave Schottky diodes are specifically
designed for use at X/Ku‑bands and are ideal for DBS and
VSAT downconverter applications. They are available in
SOT‑23 and SOT‑143 standard package configurations.
Note that Avago's manufacturing techniques assure that
dice found in pairs and quads are taken from adjacent
sites on the wafer, assuring the highest degree of
match.
Features
Optimized for use at 10‑14 GHz
Low Capacitance
Low Conversion Loss
Low RD
Low Cost Surface Mount Plastic Package
Lead‑free
Plastic SOT-23 Package
Package Lead Code Identification
(Top View)
SINGLE
3
SERIES
3
1
Plastic SOT-143 Package
3
#1
RING
QUAD
2
1
#2
2
4
CROSS-OVER
QUAD
3
4
1
#7
2
1
#9
2
Absolute Maximum Ratings
[1]
, T
A
= +25°C
Symbol
P
T
P
IV
T
J
T
STG
, T
op
Parameter
Total Device Dissipation
[2]
Peak Inverse Voltage
Junction Temperature
Storage and Operating
Temperature
Unit
mW
V
°C
°C
Min.
‑65
Max.
75
4
+150
+150
Attention: Observe precautions for
handling electrostatic sensitive devices.
ESD Machine Model (Class A)
ESD Human Body Model (Class 0)
Refer to Avago Application Note A004R:
Electrostatic Discharge Damage and Control.
Notes:
1. Operation in excess of any one of these conditions may result in
permanent damage to the device.
2. Measured in an infinite heat sink at T
CASE
= 25°C. Derate linearly to
zero at 150°C per diode.

HSMS-8101-TR2G相似产品对比

HSMS-8101-TR2G HSMS-8101-TR1G
描述 RF Mixer 4 VBR 0.26 pF RF Mixer 4 VBR 0.26 pF
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最大二极管电容 0.26 pF 0.26 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE
频带 KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e4 e4
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最大工作频率 14 GHz 14 GHz
最小工作频率 10 GHz 10 GHz
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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