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SI7462DP-T1-GE3

产品描述MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7462DP-T1-GE3在线购买

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SI7462DP-T1-GE3概述

MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V

SI7462DP-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1.8 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.6 A
最大漏极电流 (ID)2.6 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)4.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si7462DP
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
200
R
DS(on)
(Ω)
0.130 at V
GS
= 10 V
0.142 at V
GS
= 6.0 V
I
D
(A)
4.1
3.9
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
PWM Optimized For Fast Switching
PowerPAK SO-8
APPLICATIONS
• Primary Side Switch
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
G
4
D
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
S
Ordering Information:
Si7462DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7462DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Avalanche Energy (Duty Cycle
1 %)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b,c
a
Symbol
V
DS
V
GS
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
L = 0.1 mH
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 s
Steady State
200
± 20
Unit
V
4.1
3.0
12
6
1.8
4.0
4.8
2.6
- 55 to 150
260
2.6
1.9
A
mJ
1.6
1.9
1.0
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
21
55
1.7
Maximum
26
65
2.1
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 72136
S09-0227-Rev. C, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI7462DP-T1-GE3相似产品对比

SI7462DP-T1-GE3 SI7462DP-T1-E3
描述 MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1.8 mJ 1.8 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.6 A 2.6 A
最大漏极电流 (ID) 2.6 A 2.6 A
最大漏源导通电阻 0.13 Ω 0.13 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDSO-C5 R-XDSO-C5
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 4.8 W 4.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 PURE MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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