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SI4463DY

产品描述MOSFET 20V 10A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4463DY概述

MOSFET 20V 10A 2.5W

SI4463DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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Si4463DY
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
−20
FEATURES
I
D
(A)
−13
−11
r
DS(on)
(W)
0.014 @ V
GS
=
−4.5
V
0.020 @ V
GS
=
−2.5
V
D
Lead (Pb)-Free Version is RoHS
Compliant
Available
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information: Si4463DY-T1
Si4463DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 secs
Steady State
−20
"12
Unit
V
−13
−10
−50
−2.7
3.0
1.9
−55
to 150
−9
−7
A
−1.36
1.5
0.95
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Document Number: 71819
S-50694—Rev. C, 18-Apr-05
www.vishay.com
t
v
10 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
70
16
Maximum
42
84
21
Unit
_C/W
C/W
1

SI4463DY相似产品对比

SI4463DY SI4463DY-T1-E3 SI4463DY-E3
描述 MOSFET 20V 10A 2.5W MOSFET 20V 10A 2.5W MOSFET 20V 10A 2.5W
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
Is Samacsys N N N
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 9 A 10 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 3 W 2.5 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1 1
湿度敏感等级 - 1 1
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