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HCF4078BEY

产品描述Logic Gates DIP-14 8IN NOR/OR
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小133KB,共7页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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HCF4078BEY概述

Logic Gates DIP-14 8IN NOR/OR

HCF4078BEY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codecompliant
系列4000/14000/40000
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e3
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型OR/NOR GATE
功能数量1
输入次数8
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup300 ns
传播延迟(tpd)300 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)20 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
宽度7.62 mm

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HCF4078B
8 INPUT NOR/OR GATE
s
s
s
s
s
s
PROPAGATION DELAY TIME :
t
PD
= 75ns (TYP.) at V
DD
= 10V
QUIESCENT CURRENT SPECIFIED UP TO
20V
5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS
INPUT LEAKAGE CURRENT
I
I
= 100nA (MAX) AT V
DD
= 18V T
A
= 25°C
100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT
MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC
JESD13B "STANDARD SPECIFICATIONS
FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
ORDER CODES
PACKAGE
DIP
SOP
TUBE
HCF4078BEY
HCF4078BM1
DESCRIPTION
HCF4078B is a monolithic integrated circuit
fabricated in Metal Oxide Semiconductor
technology available in DIP and SOP packages.
HCF4078B QUAD 2 INPUT NOR/OR GATE
provides the system designer with direct
implementation of the positive logic 8-input NOR
and OR function and supplement the existing
family of CMOS gates.
PIN CONNECTION
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
HCF4078M013TR
s)
t(
uc
T&R
September 2002
1/7

HCF4078BEY相似产品对比

HCF4078BEY HCF4078BM1
描述 Logic Gates DIP-14 8IN NOR/OR Logic Gates DISC-BY-STM-2/01 8-INPUT NOR/OR GATE
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25
针数 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant
系列 4000/14000/40000 4000/14000/40000
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e3 e4
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 OR/NOR GATE OR/NOR GATE
功能数量 1 1
输入次数 8 8
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260
电源 5/15 V 5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 300 ns 300 ns
传播延迟(tpd) 300 ns 300 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
座面最大高度 5.1 mm 1.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 20 V 20 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 MOS MOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE 30
宽度 7.62 mm 3.9 mm

 
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