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1N4151\F3

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA AMMO
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小78KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N4151\F3概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA AMMO

1N4151\F3规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Diodes - General Purpose, Power, Switching
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
RoHSNo
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50000

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1N4151
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diodes
FEATURES
• Silicon epitaxial planar diode
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Extreme fast switches
MECHANICAL DATA
Case:
DO-35
Weight:
approx. 125 mg
Cathode band color:
black
Packaging codes/options:
TR/10K per 13" reel (52 mm tape), 50K/box
TAP/10K per ammopack (52 mm tape), 50K/box
PARTS TABLE
PART
1N4151
ORDERING CODE
1N4151TR or 1N4151TAP
TYPE MARKING
1N4151
INTERNAL CONSTRUCTION
Single diode
REMARKS
Tape and reel/ammopack
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward continuous current
Average forward current
Power dissipation
V
R
= 0
l = 4 mm, T
L
= 45 °C
l = 4 mm, T
L
25 °C
t
p
= 1 μs
TEST CONDITION
SYMBOL
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
F(AV)
P
tot
P
tot
VALUE
75
50
2
500
300
150
440
500
UNIT
V
V
A
mA
mA
mA
mW
mW
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
TEST CONDITION
l = 4 mm, T
L
= constant
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
VALUE
350
175
- 65 to + 175
UNIT
K/W
°C
°C
Rev. 1.8, 06-Dec-13
Document Number: 85523
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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