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FZ1000R33HE3

产品描述Thermal Interface Products Soft PGS - IGBT Mod Infineon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小547KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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FZ1000R33HE3概述

Thermal Interface Products Soft PGS - IGBT Mod Infineon

FZ1000R33HE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1000 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)9600 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)3550 ns
标称接通时间 (ton)1150 ns

FZ1000R33HE3相似产品对比

FZ1000R33HE3 FZ1000R33HE3BPSA1 FZ1000R33HE3B60BPSA1
描述 Thermal Interface Products Soft PGS - IGBT Mod Infineon MODULE IGBT IHVB130-3 Insulated Gate Bipolar Transistor,
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
最大集电极电流 (IC) 1000 A 1000 A -
集电极-发射极最大电压 3300 V 3300 V -
配置 PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE -
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 -
元件数量 2 2 -
端子数量 7 7 -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
表面贴装 NO NO -
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
端子位置 UPPER UPPER -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称断开时间 (toff) 3550 ns 3550 ns -
标称接通时间 (ton) 1150 ns 1150 ns -
Factory Lead Time - 11 weeks 18 weeks

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