Thermal Interface Products Soft PGS - IGBT Mod Infineon
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
针数 | 7 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1000 A |
集电极-发射极最大电压 | 3300 V |
配置 | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 9600 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 3550 ns |
标称接通时间 (ton) | 1150 ns |
FZ1000R33HE3 | FZ1000R33HE3BPSA1 | FZ1000R33HE3B60BPSA1 | |
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描述 | Thermal Interface Products Soft PGS - IGBT Mod Infineon | MODULE IGBT IHVB130-3 | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - |
最大集电极电流 (IC) | 1000 A | 1000 A | - |
集电极-发射极最大电压 | 3300 V | 3300 V | - |
配置 | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 | R-XUFM-X7 | - |
元件数量 | 2 | 2 | - |
端子数量 | 7 | 7 | - |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - |
端子位置 | UPPER | UPPER | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
标称断开时间 (toff) | 3550 ns | 3550 ns | - |
标称接通时间 (ton) | 1150 ns | 1150 ns | - |
Factory Lead Time | - | 11 weeks | 18 weeks |
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