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SMBT3904E6327XT

产品描述Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小858KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SMBT3904E6327XT在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SMBT3904E6327XT概述

Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A

SMBT3904E6327XT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

 
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