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VS-1N1184RA

产品描述Bluetooth / 802.15.1 Development Tools BLE Development Kit
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小160KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VS-1N1184RA概述

Bluetooth / 802.15.1 Development Tools BLE Development Kit

VS-1N1184RA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明DO-5, 1 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流2500 µA
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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VS-1N1183, VS-1N3765, VS-1N1183A, VS-1N2128A Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Power Silicon Rectifier Diodes,
(Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A
FEATURES
• Low leakage current series
• Good surge current capability up to 1000 A
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-203AB (DO-5)
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
Package
Circuit configuration
35 A, 40 A, 60 A
DO-203AB (DO-5)
Single diode
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
PARAMETER
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
I
2
t
V
RRM
T
J
Note
(1)
JEDEC
®
registered values
TEST CONDITIONS
T
C
50 Hz
60 Hz
50 Hz
60 Hz
Range
1N1183
35
(1)
140
(1)
480
500
(1)
1140
1040
16 100
50 to 600
(1)
-65 to +200
1N3765
35
(1)
140
(1)
380
400
(1)
730
670
10 300
700 to 1000
(1)
-65 to +200
1N1183A
40
(1)
150
(1)
765
800
(1)
2900
2650
41 000
50 to 600
(1)
-65 to +200
1N2128A
60
(1)
140
(1)
860
900
(1)
3700
3400
52 500
50 to 600
(1)
-65 to +200
UNITS
A
°C
A
A
2
s
A
2
s
V
°C
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VOLTAGE RATINGS
TYPE NUMBER
VS-1N1183
VS-1N1184
VS-1N1185
VS-1N1186
VS-1N1187
VS-1N1188
VS-1N1189
VS-1N1190
VS-1N3765
VS-1N3766
VS-1N3767
VS-1N3768
VS-1N1183A
VS-1N1184A
VS-1N1185A
VS-1N1186A
VS-1N1187A
VS-1N1188A
VS-1N1189A
VS-1N1190A
VS-1N2128A
VS-1N2129A
VS-1N2130A
VS-1N2131A
VS-1N2133A
VS-1N2135A
VS-1N2137A
VS-1N2138A
V
RRM
, MAXIMUM REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
(T
J
= -65 °C to +200 °C
(2)
)
V
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
V
RM
, MAXIMUM DIRECT
REVERSE VOLTAGE
(T
J
= -65 °C to +200 °C
(2)
)
V
50
(1)
100
(1)
150
(1)
200
(1)
300
(1)
400
(1)
500
(1)
600
(1)
700
(1)
800
(1)
900
(1)
1000
(1)
Notes
• Basic type number indicates cathode to case. For anode to case, add “R” to part number, e.g., 1N1188R, 1N3766R, 1N1186RA, 1N2135RA
(1)
JEDEC
®
registered values
(2)
For 1N1183 Series and 1N3765 Series T = -65 °C to +190 °C
C
Revision: 12-Nov-15
Document Number: 93492
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 Bluetooth / 802.15.1 Development Tools BLE Development Kit Rectifiers 800 Volt 35 Amp Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 208000ohm, 500V, 0.1% +/-Tol, 50ppm/Cel Rectifiers 100 Volt 60 Amp Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 294000ohm, 500V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 208000ohm, 500V, 0.05% +/-Tol, 50ppm/Cel, Trimmer Resistors - Through Hole 100 OHMS 10% 1-1/4IN PC Mount Rectifiers 50 Volt 35 Amp
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown compliant compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 1 1 2 1 2 2 1 1
最高工作温度 200 °C 200 °C 155 °C 200 °C 155 °C 155 °C 200 °C 190 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -55 °C -65 °C -55 °C -55 °C -65 °C -65 °C
封装形状 ROUND ROUND CYLINDRICAL PACKAGE ROUND CYLINDRICAL PACKAGE CYLINDRICAL PACKAGE ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT Axial POST/STUD MOUNT Axial Axial POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 - 不符合 符合 符合
包装说明 DO-5, 1 PIN DO-5, 1 PIN - DO-5, 1 PIN - - DO-5, 1 PIN DO-5, 1 PIN
Factory Lead Time 18 weeks 18 weeks - 18 weeks - - 18 weeks 18 weeks
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT - LOW LEAKAGE CURRENT - - LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
应用 POWER POWER - POWER - - POWER POWER
外壳连接 ANODE CATHODE - ANODE - - CATHODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE - - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON - - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.8 V - 1.3 V - - 1.3 V 1.7 V
JEDEC-95代码 DO-203AB DO-203AB - DO-203AB - - DO-203AB DO-203AB
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 - O-MUPM-D1 - - O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 - e0 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 800 A 400 A - 900 A - - 900 A 500 A
元件数量 1 1 - 1 - - 1 1
相数 1 1 - 1 - - 1 1
最大输出电流 40 A 35 A - 60 A - - 60 A 35 A
封装主体材料 METAL METAL - METAL - - METAL METAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V 800 V - 100 V - - 100 V 50 V
最大反向电流 2500 µA 4000 µA - 10000 µA - - 10000 µA 10000 µA
表面贴装 NO NO - NO - - NO NO
端子面层 Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG - SOLDER LUG - - SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER - UPPER - - UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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