RF Amplifier Variable Gain Amp
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Broadcom(博通) |
包装说明 | WAFER |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | CMOS COMPATIBLE |
特性阻抗 | 50 Ω |
构造 | COMPONENT |
增益 | 12 dB |
最大输入功率 (CW) | 15 dBm |
JESD-609代码 | e3 |
功能数量 | 1 |
最大工作频率 | 18000 MHz |
最小工作频率 | 500 MHz |
封装等效代码 | WAFER |
电源 | 5 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER |
最大压摆率 | 66 mA |
技术 | GAAS |
端子面层 | Tin (Sn) |
VMMK-3503-TR1G | VMMK-3503-BLKG | |
---|---|---|
描述 | RF Amplifier Variable Gain Amp | RF Amplifier Variable Gain Amp |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Broadcom(博通) | Broadcom(博通) |
包装说明 | WAFER | WAFER |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | CMOS COMPATIBLE | CMOS COMPATIBLE |
特性阻抗 | 50 Ω | 50 Ω |
构造 | COMPONENT | COMPONENT |
增益 | 12 dB | 12 dB |
最大输入功率 (CW) | 15 dBm | 15 dBm |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
功能数量 | 1 | 1 |
最大工作频率 | 18000 MHz | 18000 MHz |
最小工作频率 | 500 MHz | 500 MHz |
封装等效代码 | WAFER | WAFER |
电源 | 5 V | 5 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND LOW POWER | WIDE BAND LOW POWER |
最大压摆率 | 66 mA | 66 mA |
技术 | GAAS | GAAS |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
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