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VMMK-3503-TR1G

产品描述RF Amplifier Variable Gain Amp
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小916KB,共12页
制造商Broadcom(博通)
标准
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VMMK-3503-TR1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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VMMK-3503-TR1G概述

RF Amplifier Variable Gain Amp

VMMK-3503-TR1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Broadcom(博通)
包装说明WAFER
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性CMOS COMPATIBLE
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益12 dB
最大输入功率 (CW)15 dBm
JESD-609代码e3
功能数量1
最大工作频率18000 MHz
最小工作频率500 MHz
封装等效代码WAFER
电源5 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率66 mA
技术GAAS
端子面层Tin (Sn)

VMMK-3503-TR1G相似产品对比

VMMK-3503-TR1G VMMK-3503-BLKG
描述 RF Amplifier Variable Gain Amp RF Amplifier Variable Gain Amp
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Broadcom(博通) Broadcom(博通)
包装说明 WAFER WAFER
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 CMOS COMPATIBLE CMOS COMPATIBLE
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 12 dB 12 dB
最大输入功率 (CW) 15 dBm 15 dBm
JESD-609代码 e3 e3
功能数量 1 1
最大工作频率 18000 MHz 18000 MHz
最小工作频率 500 MHz 500 MHz
封装等效代码 WAFER WAFER
电源 5 V 5 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 66 mA 66 mA
技术 GAAS GAAS
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
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