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SI1305DL-T1-GE3

产品描述MOSFET 1.8V P-CH (G-S) TRENCH
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI1305DL-T1-GE3在线购买

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SI1305DL-T1-GE3概述

MOSFET 1.8V P-CH (G-S) TRENCH

SI1305DL-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Objectid1774632871
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
compound_id3714591
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.86 A
最大漏极电流 (ID)0.86 A
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.34 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON

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Si1305DL
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
0.280 at V
GS
= - 4.5 V
-8
0.380 at V
GS
= - 2.5 V
0.530 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 0.92
- 0.79
- 0.67
FEATURES
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 1.8 V
• Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
G
1
Marking Code
3
LB
S
2
X
YY
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Top
View
Ordering Information:
Si1305DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 0,28
0.34
0.22
- 55 to 150
- 0.92
- 0.74
-3
- 0.24
0.29
0.19
W
°C
5s
-8
±8
- 0.86
- 0.69
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Note:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
315
360
285
Maximum
375
430
340
°C/W
Unit
Document Number: 71076
S13-0631-Rev. G, 25-Mar-13
For technical questions, contact:
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

SI1305DL-T1-GE3相似产品对比

SI1305DL-T1-GE3 SI1305DL-T1 SI1305DL-T1-E3
描述 MOSFET 1.8V P-CH (G-S) TRENCH MOSFET 8V 0.92A MOSFET 8V 0.92A
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.86 A 0.86 A 0.86 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.34 W 0.34 W 0.34 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 PURE MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN
是否无铅 不含铅 - 不含铅
零件包装代码 SC-70 - SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN
针数 3 - 3
最小漏源击穿电压 8 V - 8 V
最大漏极电流 (ID) 0.86 A - 0.86 A
最大漏源导通电阻 0.28 Ω - 0.28 Ω
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 40
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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