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STD1NK60-1

产品描述MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小426KB,共15页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STD1NK60-1概述

MOSFET

STD1NK60-1规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-251AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
雪崩能效等级(Eas)25 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻8.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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