电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

STS25NH3LL

产品描述MOSFET N-Ch 30 Volt 25 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小294KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

STS25NH3LL在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
STS25NH3LL - - 点击查看 点击购买

STS25NH3LL概述

MOSFET N-Ch 30 Volt 25 Amp

STS25NH3LL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOT
包装说明ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.005 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 459  507  528  1628  1646 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved