电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

Jantx2N1131

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小140KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

Jantx2N1131在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
Jantx2N1131 - - 点击查看 点击购买

Jantx2N1131概述

Bipolar Transistors - BJT

Jantx2N1131规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/177F
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/177
DEVICES
LEVELS
2N1131
2N1131L
2N1132
2N1132L
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
, T
stg
Value
40
50
5.0
600
0.6
2.0
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
°C
TO-39
2N1131, 2N1132
Operating & Storage Junction Temperature Range
NOTES:
1/ Derate linearly 3.43mW/°C for T
A
> +25°C
2/ Derate linearly 11.4mW/°C for T
C
> +25°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
Collector- Base Breakdown Voltage
I
C
= 10µAdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 50Vdc, R
BE
10 ohms
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 50Vdc
V
CB
= 30Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
40
Vdc
Vdc
TO-5
2N1131L, 2N1132L
50
100
10
I
EBO
µAdc
mAdc
I
CER
I
CBO
10
1.0
µAdc
T4-LDS-0187 Rev. 1 (101882)
Page 1 of 3
ST再次重拳出击MCU市场,今日发布首批超低功耗8位MCU
不说别的,先上几张幻灯片,新闻稿随后发出。 内行看门道,外行也可以看看热闹,欢迎拍砖。 _Slide9.GIF (56.92 KB) 下载次数:45 2009-9-14 22:43 ......
1200324 stm32/stm8
红外解码
请哪位大侠 解决这个问题 :为什么我写的红外解码 数据总是在不断刷新 按同一个键】...
w1989621w 51单片机
有人做過IO模擬UART但不是用timerA0模塊的嗎
不好意思,我是個初學者,在對MSP430沒有很了解的情況下,老闆要我利用IO腳位想辦法做出多個UART的功能,我看很多人用捕獲/比較去做但有所限制,有人利用IO中斷與時間中斷做過嗎?? 謝謝...
lavender780510 微控制器 MCU
STM32STOP模式下的低功耗
在我的目标板(STM32F101RBT6)上,芯片的VBAT和VDDA都连接到VDD上,无外接任何外部晶体。断开与芯片的连接的所有IO口。STOP模式下的程序如下,发现VDD在STOP模式下的电流达到1mA,不知原 ......
wangjianjun stm32/stm8
求助 PPC与主机同步相关代码 出问题
小弟在网上查到一下关于PPC与主机同步相关代码,但是始终都调试不成功,恳请各路朋友帮帮我,帮我试试看哪里出问题,希望有调试成功的朋友可以把代码发给我,万分感谢各位关注,谢谢了 我的邮箱 ......
Joseph.Z 嵌入式系统
氮化镓在射频电子中的应用
Qorvo 方面也认为,GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求,如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线电信号聚焦成 ......
石榴姐 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1808  1695  1906  1713  1169  37  35  39  24  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved