Flash Memory (256x8) 2M 90ns
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 42.03 mm |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 15.24 mm |
Base Number Matches | 1 |
CAT28F020L90 | CAT28F020G-12T | CAT28F020L12 | |
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描述 | Flash Memory (256x8) 2M 90ns | Flash Memory 2 Megabit CMOS Flash Memory | Flash Memory (256x8) 2M 120ns |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP | QFJ | DIP |
包装说明 | DIP, DIP32,.6 | LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns | 120 ns | 120 ns |
命令用户界面 | YES | YES | YES |
数据轮询 | NO | NO | NO |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 42.03 mm | 13.97 mm | 42.03 mm |
内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | QCCJ | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 | LDCC32,.5X.6 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 245 | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
编程电压 | 12 V | 12 V | 12 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 3.55 mm | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO | NO | NO |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm | 15.24 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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