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1N5576B

产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N5576B概述

Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

1N5576B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗50 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压36 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流7 mA
Base Number Matches1

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