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MCM6147AP55

产品描述4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
产品类别存储    存储   
文件大小197KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM6147AP55概述

4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

MCM6147AP55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0008 A
最大压摆率0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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描述 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
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