C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | HP（Keysight） |
| 零件包装代码 | SC-70 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 5 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.12 A |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | C BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.725 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 15 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| ATF-54143-TR1 | ATF-54143-BLK | ATF-54143-TR2 | ATF54143 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET | Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | SC-70 | SC-70 | SC-70 | - |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | - |
| 针数 | 4 | 4 | 4 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 外壳连接 | SOURCE | SOURCE | SOURCE | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.12 A | 0.12 A | 0.12 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.12 A | 0.12 A | 0.12 A | - |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY | - |
| 最高频带 | C BAND | C BAND | C BAND | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 功耗环境最大值 | 0.725 W | 0.725 W | 0.725 W | - |
| 最小功率增益 (Gp) | 15 dB | 15 dB | 15 dB | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | - |
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