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MCM69P735

产品描述128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
文件大小122KB,共16页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM69P735概述

128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM

MCM69P735相似产品对比

MCM69P735 MCM69P735ZP3R MCM69P735ZP3.5 MCM69P735ZP3 MCM69P735ZP3.5R
描述 128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM 128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM 128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM 128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM 128K x 36 Bit Pipelined BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
厂商名称 - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
零件包装代码 - BGA - BGA BGA
包装说明 - BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 - 119 - 119 119
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 - 3 ns - 3 ns 3.5 ns
JESD-30 代码 - R-PBGA-B119 - R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 - 22 mm - 22 mm 22 mm
内存密度 - 4718592 bi - 4718592 bi 4718592 bi
内存集成电路类型 - CACHE SRAM - CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 - 36 - 36 36
功能数量 - 1 - 1 1
端口数量 - 1 - 1 1
端子数量 - 119 - 119 119
字数 - 131072 words - 131072 words 131072 words
字数代码 - 128000 - 128000 128000
工作模式 - SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 - 128KX36 - 128KX36 128KX36
输出特性 - 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
可输出 - YES - YES YES
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - BGA - BGA BGA
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 - PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 2.4 mm - 2.4 mm 2.4 mm
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 3.135 V - 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES - YES YES
技术 - MOS - MOS MOS
温度等级 - COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 - BALL - BALL BALL
端子节距 - 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 - BOTTOM - BOTTOM BOTTOM
宽度 - 14 mm - 14 mm 14 mm
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