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MCM69R819AZP6

产品描述4M Late Write LVTTL
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文件大小137KB,共20页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM69R819AZP6概述

4M Late Write LVTTL

MCM69R819AZP6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3 ns
其他特性BYTE WRITE CONTROL; BOUNDARY SCAN
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bi
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

 
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