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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CBR2F-010LEADFREE
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CBR2F-010LEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 100V V(RRM), Silicon, CASE A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小573KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CBR2F-010LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 100V V(RRM), Silicon, CASE A

CBR2F-010LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-PBCY-W4
制造商包装代码CASE A
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PBCY-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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CBR1F SERIES
CBR2F SERIES
FAST RECOVERY
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1F and CBR2F
series types are silicon, single phase, full wave bridge
rectifiers designed for fast switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE A
MAXIMUM RATINGS:
(TA=50°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (CBR1F)
Average Forward Current (CBR2F)
Peak Forward Surge Current (CBR1F)
Peak Forward Surge Current (CBR2F)
Operating and Storage
Junction Temperature
CBR1F CBR1F CBR1F CBR1F CBR1F CBR1F
CBR2F CBR2F CBR2F CBR2F CBR2F CBR2F
SYMBOL -010
-020
-040
-060
-080
-100 UNITS
VRRM
100
200
400
600
800
1000
V
VR
100
200
400
600
800
1000
V
VR(RMS)
IO
IO
IFSM
IFSM
TJ, Tstg
70
140
280
1.5
2.0
50
60
-65 to +150
420
560
700
V
A
A
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IR
VR=Rated VRRM
10
IR
VR=Rated VRRM, TA=100°C
1.0
VF (CBR1F)
IF=1.0A
1.3
VF (CBR2F)
IF=2.0A
trr (100V, 200V, 400V) IF=0.5A, IR=1.0A,
trr (600V, 800V)
IF=0.5A, IR=1.0A,
trr (1000V)
1.3
Irr=0.25A
200
350
500
UNITS
μA
mA
V
V
ns
ns
ns
Irr=0.25A
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
R1 (18-June 2013)

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