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MDO500-16N1

产品描述560 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小56KB,共3页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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MDO500-16N1概述

560 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

560 A, 1600 V, 硅, 整流二极管

MDO500-16N1规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压1600 V
最大平均正向电流560 A
最大非重复峰值正向电流15000 A

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MDO 500
High Power
Diode Modules
I
FRMS
= 880 A
I
FAVM
= 560 A
V
RRM
= 1200-2200 V
3
2
V
RSM
V
DSM
V
1300
1500
1700
1900
2100
2300
Symbol
I
FRMS
I
FAVM
I
FSM
V
RRM
V
DRM
V
1200
1400
1600
1800
2000
2200
Type
3
2
MDO 500-12N1
MDO 500-14N1
MDO 500-16N1
MDO 500-18N1
MDO 500-20N1
MDO 500-22N1
Maximum Ratings
880
560
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
t = 10 ms (50 Hz)
t = 8.3 ms (60 Hz)
15000
16000
13000
14400
1125000
1062000
845000
813000
-40...140
140
-40...125
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
°C
°C
°C
V~
V~
Test Conditions
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85°C; 180° sine
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
Features
International standard package
Direct copper bonded Al
2
O
3
-ceramic
with copper base plate
Planar passivated chips
Isolation voltage 3600 V~
UL registered E 72873
q
q
q
q
q
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
Applications
Supplies for DC power equipment
DC supply for PWM inverter
Field supply for DC motors
Battery DC power supplies
q
q
q
q
T
VJ
T
VJM
T
stg
V
ISOL
M
d
Weight
Symbol
I
RRM
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
50/60 Hz, RMS
I
ISOL
£
1 mA
t = 1 min
t=1s
3000
3600
Advantages
Simple mounting
Improved temperature and power
cycling
Reduced protection circuits
q
q
q
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M8)
Typical including screws
Test Conditions
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
I
F
= 1200 A; T
VJ
= 25°C
4.5-7/40-62 Nm/lb.in.
11-13/97-115 Nm/lb.in.
650
g
Characteristic Values
mA
30
1.3
0.8
0.38
0.072
0.096
21.7
9.6
50
V
V
mW
K/W
K/W
mm
mm
m/s
2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
For power-loss calculations only (T
VJ
= T
VJM
)
DC current
DC current
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Maximum allowable acceleration
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
© 2000 IXYS All rights reserved
1-3

MDO500-16N1相似产品对比

MDO500-16N1 MDO500-22N1 MDO500-14N1 MDO500 L016
描述 560 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 560 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 560 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 560 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 560 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
端子数量 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR 矩形的 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT 凸缘安装 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 SINGLE SINGLE 单一的 SINGLE SINGLE
壳体连接 ISOLATED ISOLATED 隔离 ISOLATED ISOLATED
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 整流二极管 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
相数 1 1 1 1 1
最大重复峰值反向电压 1600 V 2200 V 1400 V 2200 V 2200 V
最大平均正向电流 560 A 560 A 560 A 560 A 560 A
最大非重复峰值正向电流 15000 A 15000 A 15000 A 15000 A 15000 A

 
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