TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1200 A |
集电极-发射极最大电压 | 1700 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 5550 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
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