电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MG1200V1US51

产品描述TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 全文预览

MG1200V1US51概述

TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT

MG1200V1US51规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压1700 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5550 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 258  675  969  1097  1420 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved