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MGRB2018CT

产品描述Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MGRB2018CT概述

Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier

MGRB2018CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压180 V
最大反向恢复时间0.0126 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MGRB2018CT/D
Advance Information
Power Manager
Gallium Arsenide Power Rectifier
Planar Epitaxial Construction
Nitride Passivation for Stable Blocking Characteristics
Monolithic Dual Die Construction – May be Paralleled for High Current Output
MGRB2018CT
GALLIUM ARSENIDE
RECTIFIER
20 AMPERES
180 VOLTS
. . . ideally suited for high frequency power supplies, free wheeling diodes, and as polarity
protection diodes, these state-of-the-art devices have the following features:
(10A per leg or 20A per package)
Single Die Available (MGRB1018)
Epoxy Meets UL94, VO @ 1/8″
Hyperfast and Soft Reverse Recovery Over Specified Temperature Range (15 ns)
Mechanical Characteristics
Case: Epoxy, Molded
Weight: 1.9 grams (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant & Terminal Leads are Readily Solderable
Lead Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
Shipped 50 units per plastic tube
Available in 24mm Tape and Reel, 800 units/reel by adding a T4 suffix to the part number
Marking: MGRB2018CT
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(At Rated VR, TC = 90°C)
DC Forward Current
(TC = 130°C)
Peak Repetitive Forward Current
(At Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC = 100°C)
Per Leg
Per Package
Per Leg
Per Leg
Symbol
VRRM
VRWM
VR
IO
IDC
IFRM
IFSM
TJ, Tstg
Per Leg
Per Leg
R
θJC
R
θJA
VF
1
2, 4
3
2, 4
1
3
CASE 418B–02
D2PAK
Value
180
Unit
V
10
20
10
20
60
– 55 to 175
3.1
53
A
A
A
A
°C
°C/W
Non–Repetitive Peak Surge Current
Per Package
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)
Operating Junction Temperature and Storage Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance – Junction to Case
Thermal Resistance – Junction to Ambient
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1), see Figure 2
(IF = 10 A)
(IF = 5 A)
Maximum Instantaneous Reverse Current, see Figure 4
(VR = 180 V)
(VR = 90 V)
Typical Reverse Recovery Time (2)
(VR = 150 V, IF = 5 A, di/dt = 200 A/µs)
(VR = 150 V, IF = 10 A, di/dt = 200 A/µs)
Typical Peak Reverse Recovery Current
(VR = 150 V, IF = 5 A, di/dt = 200 A/µs)
(VR = 150 V, IF = 10 A, di/dt = 200 A/µs)
Per Leg
TJ=25°C
1.4
1.1
Per Leg
IR
TJ=25°C
25
1
Per Leg
trr
TJ=25°C
12.6
13
Per Leg
IRM
TJ=25°C
1.5
1.6
TJ=125°C
1.5
1.1
TJ=125°C
685
120
TJ=125°C
12.4
12.7
TJ=125°C
1.6
1.7
A
ns
µA
V
Note: This data sheet contains advance information only and is subject to change without notice.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
2.0%.
(2) trr measured projecting from 25% of IRM to ground.
Motorola RF Device Data
©
Motorola, Inc. 1995
1

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