电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MH4S64CBMD-10

产品描述268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
文件大小439KB,共47页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 选型对比 全文预览

MH4S64CBMD-10概述

268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

文档预览

下载PDF文档
Preliminary Spec.
Some contents are subject to change without notice.
MITSUBISHI LSIs
MH4S64CBMD-10,-12,-15,-10B,-12B,-15B
268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
DESCRIPTION
The MH4S64CBMD is 4194304-word by 64-bit
Synchronous DRAM module. This consists of sixteen
industry standard 2Mx8 Synchronous DRAMs in
TSOP and one industory standard EEPROM in
TSSOP.
The mounting of TSOP on a card edge Dual Inline
package provides any application where high
densities and large quantities of memory are
required.
This is a socket type - memory modules, suitable for
easy interchange or addition of modules.
85pin
1pin
94pin
95pin
10pin
11pin
FEATURES
Frequency
-10,-10B
-12,-12B
-15,-15B
100MHz
83MHz
67MHz
CLK Access Time
(Component SDRAM)
8ns(CL=3)
8ns(CL=3)
Back side
9ns(CL=3)
Front side
Utilizes industry standard 2M x 8 Synchronous DRAMs
TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP
168-pin (84-pin dual in-line package)
124pin
125pin
40pin
41pin
single 3.3V±0.3V power supply
Clock frequency 100MHz/83MHz/67MHz
Fully synchronous operation referenced to clock rising
edge
Dual bank operation controlled by BA(Bank Address)
/CAS latency- 1/2/3(programmable)
Burst length- 1/2/4/8(programmable)
Burst type- sequential / interleave(programmable)
Column access - random
Auto precharge / All bank precharge controlled by A10
Auto refresh and Self refresh
4096 refresh cycle /64ms
LVTTL Interface
168pin
84pin
APPLICATION
main memory or graphic memory in computer systems
MIT-DS-0113-1.1
MITSUBISHI
ELECTRIC
( 1 / 47 )
25.Mar..1997

MH4S64CBMD-10相似产品对比

MH4S64CBMD-10 MH4S64CBMD-15B MH4S64CBMD-15 MH4S64CBMD-12B MH4S64CBMD-12 MH4S64CBMD-10B
描述 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 268435456-BIT (4194304-WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
反激电源输出电压地与机箱有电压
请教一下大家,反激电源副边输出电压地与机箱有一个几十伏的电压正常吗,如果要降低这个电压有什么办法吗? ...
easthewj 开关电源学习小组
PADS9.5的图文教程
PADS9.5的教程有点旧 ...
电子爱好者xx 下载中心专版
小功率三相无刷电机驱动问题
小型机器人设计中用到一个4mm无刷电机,主要参数如图,我目前看到的驱动芯片都是针对几W的电机,像这种0.04W的电机没有类似的驱动器,还有三相无刷电机的驱动电流是由什么决定的?驱动芯片可以 ......
WHHU 机器人开发
关于回复帖子,这是不是一个bug?
本帖最后由 ienglgge 于 2014-12-31 22:50 编辑 楼主发帖,二楼有人回帖,我点击二楼的贴子的回复。 在回复的框里,我的鼠标点进了对方的贴子的内容。光标在他的发言区域里。这时,我再 ......
ienglgge 为我们提建议&公告
关于组织 2021年 全国大学生电子设计竞赛的通知
各赛区组织委员会、各有关高等学校: 全国大学生电子设计竞赛(以下简称全国竞赛)组委会在认真总结往届电子设计竞赛经验的基础上,经研究决定,启动2021年全国竞赛组织工作,现将有关事项通 ......
okhxyyo 电子竞赛
msp430 IAR 程序运行中被复位
我运行main前面的汇编程序段,单步执行的时候,程序运行到_data16_memcpy中时,在copy了几个数据后程序忽然跳到cstart_begin开始的地方 但是循环还没有结束 另外: 我注释掉程序中一句, ......
yoyolgl 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 113  761  542  452  2487  59  23  27  13  3 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved