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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MH8S64BBKG-8
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MH8S64BBKG-8

产品描述536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小558KB，共55页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MH8S64BBKG-8概述

536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

MH8S64BBKG-8规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度31.75 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.008 A
最大压摆率1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

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Preliminary Spec.
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MITSUBISHI LSIs
MH8S64BBKG -7,-7L,-8,-8L,-10,-10L
536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
DESCRIPTION
The MH8S64BBKG is 8388608 - word by 64-bit
Synchronous DRAM module. This consists of eight
industry standard 4Mx16 Synchronous DRAMs in
TSOP and one industory standard EEPROM in
TSSOP.
The mounting of TSOP on a card edge Dual Inline
package provides any application where high
densities and large quantities of memory are
required.
This is a socket type - memory modules, suitable for
easy interchange or addition of modules.
Utilizes industry standard 4M x 16 Synchronous DRAMs
TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP
144-pin (72-pin dual in-line package)
single 3.3V±0.3V power supply
Clock frequency 100MHz(max.)
Fully synchronous operation referenced to clock rising
edge
4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)
/CAS latency- 2/3(programmable)
FEATURES
Frequency
-7,-7L
-8,-8L
-10,-10L
100MHz
100MHz
100MHz
CLK Access Time
(Component SDRAM)
Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)
Burst type- sequential / interleave(programmable)
Column access - random
Auto precharge / All bank precharge controlled by A10
Auto refresh and Self refresh
4096 refresh cycle /64ms
6.0ns(CL=3)
6.0ns(CL=3)
8.0ns(CL=3)
PC100 compliant
LVTTL Interface
APPLICATION
main memory or graphic memory in computer systems
PCB Outline
(Front)
(Back)
1
2
143
144
MIT-DS-0291-0.0
MITSUBISHI
ELECTRIC
( 1 / 55 )
21.Dec.1998

MH8S64BBKG-8相似产品对比

MH8S64BBKG-8 MH8S64BBKG-8L MH8S64BBKG-7L MH8S64BBKG-10L MH8S64BBKG-7 MH8S64BBKG-10
描述 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM 536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 8 ns 6 ns 8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA 0.92 mA 1.2 mA 0.92 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

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