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MT8HTF12864HTY-667XX

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小365KB,共19页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT8HTF12864HTY-667XX概述

DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200

MT8HTF12864HTY-667XX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码MODULE
包装说明LEAD FREE, SODIMM-200
针数200
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
JESD-609代码e4
长度67.6 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.8 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度30.5 mm
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