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1N3600HG

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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1N3600HG概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35

1N3600HG规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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