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JAN1N6130

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小444KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N6130概述

ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS

JAN1N6130规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压90.25 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Qualified
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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