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NE5511279A-T1-A

产品描述RF MOSFET Transistors UHF Band RF Power
产品类别半导体    分立半导体   
制造商CEL
官网地址http://www.cel.com/
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NE5511279A-T1-A在线购买

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NE5511279A-T1-A概述

RF MOSFET Transistors UHF Band RF Power

NE5511279A-T1-A规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
CEL
RoHSDetails
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
技术
Technology
Si
Gain15 dB
Output Power40 dBm
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
79A-4
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
ConfigurationSingle
Forward Transconductance - Min0.0023 S
Operating Frequency900 MHz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
20 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
类型
Type
RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.5 V
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