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MJD340G

产品描述Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJD340G概述

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

MJD340G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.56 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MJD340 (NPN),
MJD350 (PNP)
High Voltage Power
Transistors
DPAK for Surface Mount Applications
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode
power supply drivers and other switching applications.
Features
www.onsemi.com
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
Electrically Similar to Popular MJE340 and MJE350
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
SILICON
POWER TRANSISTORS
0.5 AMPERE
300 VOLTS, 15 WATTS
COLLECTOR
2, 4
COLLECTOR
2, 4
1
BASE
3
EMITTER
1
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Collector Current − Peak
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Total Power Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ESD − Human Body Model
MJD340 (NPN)
MJD350 (PNP)
ESD − Machine Model
MJD340 (NPN)
MJD350 (PNP)
MM
M4
M4
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
I
CM
P
D
15
0.12
P
D
1.56
0.012
T
J
, T
stg
HBM
3B
2
V
−65 to +150
W
W/°C
°C
V
W
W/°C
Max
300
300
3
0.5
0.75
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYWW
J3x0G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad
sizes recommended.
A
Y
WW
J3x0
G
=
=
=
=
Assembly Location
Year
Work Week
Device Code
x= 4 or 5
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
1
June, 2016 − Rev. 12
Publication Order Number:
MJD340/D

MJD340G相似产品对比

MJD340G MJD340RLG
描述 Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
针数 3 3
制造商包装代码 369C 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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