Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 29-11 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
MPSA06RLRP | MPSA56RLRA | |
---|---|---|
描述 | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 29-11 | 29-11 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 |
极性/信道类型 | NPN | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W | 0.625 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 50 MHz |
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