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CMPT5087E-TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小400KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPT5087E-TR概述

Bipolar Transistors - BJT

CMPT5087E-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Collector- Base Voltage VCBO50 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage110 mV
Maximum DC Collector Current0.1 A
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min300
高度
Height
0.96 mm
长度
Length
3.05 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
宽度
Width
1.4 mm
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5087E
and CMPT5088E, are Silicon transistors in an epoxy
molded surface mount package with enhanced
specifications designed for applications requiring high
gain and low noise.
MARKING CODES: CMPT5087E: C2QE
CMPT5088E: C1QE
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
50
50
5.0
100
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500µA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz
350
50
50
5.0
TYP
NPN PNP
MAX
50
50
UNITS
nA
nA
V
V
V
135
65
8.7
45
110
700
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
100
400
800
900
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
♦♦
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
mV
mV
mV
300
300
300
50
100
430
435
430
125
hFE
♦♦
fT
Cob
Cib
hfe
NF
MHz
4.0
15
1400
3.0
dB
pF
pF
Enhanced specification
♦♦
Additional Enhanced specification
R1 (1-February 2010)

 
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