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EPCE4QC100N

产品描述FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
产品类别半导体    可编程逻辑器件   
文件大小727KB,共33页
制造商Altera (Intel)
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EPCE4QC100N概述

FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz

EPCE4QC100N规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
FPGA - Configuration Memory
制造商
Manufacturer
Altera (Intel)
RoHSDetails
Memory TypeFlash
Memory Size4 Mbit
Maximum Operating Frequency66 MHz
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PQFP-100
系列
Packaging
Tray
工作电源电流
Operating Supply Current
50 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
66
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
单位重量
Unit Weight
0.419760 oz

EPCE4QC100N相似产品对比

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描述 FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz Translation - Voltage Levels 2-Bit Bi-Directional Voltage-Level-Trans FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz Switching Voltage Regulators 5.5 to 36V Input 3A Step Dwn Converter FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
是否无铅 - 含铅 不含铅 含铅 - - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 符合 不符合 - - 不符合 不符合
零件包装代码 - BGA QFP QFP - - QFP BGA
包装说明 - MO-219, ULTRA FINE LINE, BGA-88 PLASTIC, QFP-100 PLASTIC, QFP-100 - - PLASTIC, QFP-100 UFBGA-88
针数 - 88 100 100 - - 100 88
Reach Compliance Code - not_compliant unknown not_compliant - - not_compliant not_compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) - 66.7 MHz 66.7 MHz 66.7 MHz - - 66.7 MHz 66.7 MHz
JESD-30 代码 - R-PBGA-B88 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 - - R-PQFP-G100 R-PBGA-B88
JESD-609代码 - e0 e3 e0 - - e0 e0
长度 - 11 mm 20 mm 20 mm - - 20 mm 11 mm
内存密度 - 16777216 bit 8388608 bit 4194304 bit - - 8388608 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 - CONFIGURATION MEMORY CONFIGURATION MEMORY CONFIGURATION MEMORY - - CONFIGURATION MEMORY CONFIGURATION MEMORY
内存宽度 - 16 16 16 - - 16 16
湿度敏感等级 - 3 3 3 - - 3 3
功能数量 - 1 1 1 - - 1 1
端子数量 - 88 100 100 - - 100 88
字数 - 1048576 words 524288 words 262144 words - - 524288 words 1048576 words
字数代码 - 1000000 512000 256000 - - 512000 1000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C 85 °C 70 °C - - 70 °C 85 °C
组织 - 1MX16 512KX16 256KX16 - - 512KX16 1MX16
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - LFBGA QFP QFP - - QFP LFBGA
封装等效代码 - BGA88,8X12,32 QFP100,.7X.9 QFP100,.7X.9 - - QFP100,.7X.9 BGA88,8X12,32
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK FLATPACK - - FLATPACK GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL
电源 - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - - 3.3 V 3.3 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.4 mm 2.15 mm 3.4 mm - - 2.15 mm 1.4 mm
最大待机电流 - 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A - - 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 - 0.09 mA 0.09 mA 0.09 mA - - 0.09 mA 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V 3 V - - 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES YES - - YES YES
技术 - CMOS CMOS CMOS - - CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL - - COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn63Pb37) Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 - BALL GULL WING GULL WING - - GULL WING BALL
端子节距 - 0.8 mm 0.65 mm 0.65 mm - - 0.65 mm 0.8 mm
端子位置 - BOTTOM QUAD QUAD - - QUAD BOTTOM
类型 - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE - - NOR TYPE NOR TYPE
宽度 - 8 mm 14 mm 14 mm - - 14 mm 8 mm
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