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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4588
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1N4588

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 200PV
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小742KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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1N4588概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 200PV

1N4588规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-H1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码DO-205AA
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流3000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流150 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流9500 µA
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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1N4588(R) thru 1N4593(R)
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 200 V to 800 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-8 Package
V
RRM
= 200 V - 800 V
I
F
=150 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse voltage
g
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
I
2
t for fusing
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
DC
I
F
I
F,SM
I
2
t
T
j
T
stg
T
C
≤ 110 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
60 Hz Half wave
Conditions
1N4588(R)
200
200
150
3000
37200
-55 to 150
-55 to 150
1N4590(R)
400
400
150
3000
37200
-55 to 150
-55 to 150
1N4592(R)
600
600
150
3000
37200
-55 to 150
-55 to 150
1N4593(R)
800
800
150
3000
37200
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
2
sec
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 150 A, T
j
= 110 °C
V
R
= V
RRM
, T
j
= 110 °C
1N4588(R)
1.5
9.5
1N4590(R)
1.5
9
1N4592(R)
1.5
6.5
1N4593(R)
1.5
5.5
Unit
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
R
thJC
0.35
0.35
0.35
0.35
°C/W
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1

1N4588相似产品对比

1N4588 1N4590R 1N4593 1N4588R PMF1/2-6340-BB25
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 200PV Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 400PV Zener Diodes 43V 1W Zener Diodes - General Purpose, Power, Switching SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 200PV Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 634ohm, 400V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
包装说明 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 AXIAL LEADED
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
端子数量 1 1 1 1 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND TUBULAR PACKAGE
表面贴装 NO NO NO NO NO
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
厂商名称 GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC -
Is Samacsys N N N N -
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE -
外壳连接 CATHODE ANODE CATHODE ANODE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V -
JEDEC-95代码 DO-205AA DO-205AA DO-205AA DO-205AA -
JESD-30 代码 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 -
最大非重复峰值正向电流 3000 A 3000 A 3000 A 3000 A -
元件数量 1 1 1 1 -
相数 1 1 1 1 -
最大输出电流 150 A 150 A 150 A 150 A -
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL -
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT -
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 800 V 200 V -
最大反向电流 9500 µA 9000 µA 5500 µA 9500 µA -
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE -
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER -
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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