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CMST2222A-TR

产品描述Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 4.7uF 50volts X7R 10%
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小472KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMST2222A-TR概述

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 4.7uF 50volts X7R 10%

CMST2222A-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-323-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Gain Bandwidth Product fT300 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min35
DC Current Gain hFE Max300
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Cut Tape
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
275 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000176 oz

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CMST2222A
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST2222A
type is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for small signal, general
purpose and switching applications.
MARKING CODE: 1PC
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
40
6.0
600
275
-65 to +150
455
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=60V
ICBO
VCB=60V, TA=125°C
ICEV
VCE=60V, VEB=3.0V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
75
40
6.0
MAX
10
10
10
10
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
0.6
35
50
75
100
50
40
300
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=1.0V, IC=150mA
VCE=10V,
VCE=20V,
IC=500mA
IC=20mA, f=100MHz
300
MHz
R4 (9-February 2010)

 
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