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DS1270AB-70IND

产品描述NVRAM 16M NV SRAM
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文件大小174KB,共8页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1270AB-70IND概述

NVRAM 16M NV SRAM

DS1270AB-70IND规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码MODULE
包装说明,
针数36
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
其他特性5 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-PDMA-P36
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

DS1270AB-70IND相似产品对比

DS1270AB-70IND DS1270AB-70
描述 NVRAM 16M NV SRAM NVRAM 16M NV SRAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 MODULE MODULE
针数 36 36
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 70 ns
其他特性 5 YEAR DATA RETENTION 5 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-PDMA-P36 R-PDMA-P36
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 36 36
字数 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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