NVRAM 16M NV SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | , |
针数 | 36 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | 5 YEAR DATA RETENTION |
JESD-30 代码 | R-PDMA-P36 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 36 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
DS1270AB-70IND | DS1270AB-70 | |
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描述 | NVRAM 16M NV SRAM | NVRAM 16M NV SRAM |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | MODULE | MODULE |
针数 | 36 | 36 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns | 70 ns |
其他特性 | 5 YEAR DATA RETENTION | 5 YEAR DATA RETENTION |
JESD-30 代码 | R-PDMA-P36 | R-PDMA-P36 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 36 | 36 |
字数 | 2097152 words | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
组织 | 2MX8 | 2MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 240 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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