电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJE13005-LEADFREE

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小184KB,共3页
制造商Central Semiconductor
下载文档 详细参数 全文预览

MJE13005-LEADFREE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MJE13005-LEADFREE - - 点击查看 点击购买

MJE13005-LEADFREE概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW

MJE13005-LEADFREE规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Transistor PolarityNPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Collector- Base Voltage VCBO9 V
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Maximum DC Collector Current4 A
Gain Bandwidth Product fT4 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current4 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Box
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
75 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
400
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
MJE13005
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
JEDEC TO-220 CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE13005 is a Silicon NPN Power Transistor, designed for high speed power
switching applications.
MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VCEV
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Peak Collector Current
ICM
Base Current
IB
Peak Base Current
IBM
Emitter Current
IE
Peak Emitter Current
IEM
Power Dissipation (TA=25°C)
PD
Power Dissipation
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Thermal Resistance
Θ
JA
Thermal Resistance
Θ
JC
400
700
9.0
4.0
8.0
2.0
4.0
6.0
12
2.0
75
-65 to +150
62.5
1.67
UNITS
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICEV
ICEV
IEBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=700V, VBE(OFF)=1.5V
VCE=700V, VBE(OFF)=1.5V, TC=100°C
VEB=9.0V
IC=10mA
IC=1.0A, IB=0.2A
IC=2.0A, IB=0.5A
IC=4.0A, IB=1.0A
IC=1.0A, IB=0.2A
IC=2.0A, IB=0.5A
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=2.0A
MIN
MAX
1.0
5.0
1.0
400
0.5
0.6
1.0
1.2
1.6
60
40
UNITS
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
10
8.0
(Continued)
R1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2290  758  1913  2574  255  38  20  30  50  9 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved