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IPI80N06S4L07AKSA1: 产品描述MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小168KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-262-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	80 A
Rds On - Drain-Source Resistance	6.2 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	56 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
Fall Time	5 ns
高度 Height	9.45 mm
长度 Length	10.2 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	79 W
Rise Time	3 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	500
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	23 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns
宽度 Width	4.5 mm
单位重量 Unit Weight	0.084199 oz

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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