电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IPD65R600C6BTMA1

产品描述MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共19页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IPD65R600C6BTMA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IPD65R600C6BTMA1 - - 点击查看 点击购买

IPD65R600C6BTMA1概述

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6

IPD65R600C6BTMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
雪崩能效等级(Eas)142 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 275  425  459  536  1049 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved