IS43R86400F-5BL,IS43R86400F-5BL pdf中文资料,IS43R86400F-5BL引脚图,IS43R86400F-5BL电路-Datasheet-电子工程世界

IS43R86400F-5BL: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小790KB，共29页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	8133556414
包装说明	TBGA,
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China, Taiwan
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	20 weeks
YTEOL	4.7
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	13 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR1 DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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