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FDZ197PZ

产品描述EEPROM 512K 64K X 8 2.5V HI-SPEED SER EE IND
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小414KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FDZ197PZ概述

EEPROM 512K 64K X 8 2.5V HI-SPEED SER EE IND

FDZ197PZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码CSP
包装说明GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数6
制造商包装代码6 BALL WLCSP, 2X3 ARRAY, 0.5MM PITCH, 300UM BALL
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.8 A
最大漏极电流 (ID)3.8 A
最大漏源导通电阻0.071 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)225 pF
JESD-30 代码R-PBGA-B6
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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