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IRGP4620DPBF: 产品描述Gate Drivers; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小958KB，共17页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
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Gate Drivers

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	IGBT Transistors
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247AC-3
安装风格 Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.97 V
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	32 A
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	140 W
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
系列 Packaging	Tube
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
高度 Height	20.7 mm
长度 Length	15.87 mm
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	25
宽度 Width	5.31 mm
单位重量 Unit Weight	0.191185 oz

	IRGP4620DPBF	IRGS4620DTRLPBF	IRGS4620DPBF
描述	Gate Drivers	IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST	Precision Amplifiers High VTG RRIO Prec Op Amps E-Trim
产品种类 Product Category	IGBT Transistors	IGBT Transistors	IGBT Transistors
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
技术 Technology	Si	Si	Si
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247AC-3	TO-263-3	TO-263-3
安装风格 Mounting Style	Through Hole	SMD/SMT	SMD/SMT
Configuration	Single	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	600 V	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.97 V	1.97 V	1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V	+/- 20 V	+/- 30 V
Continuous Collector Current at 25 C	32 A	32 A	32 A
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	140 W	140 W	140 W
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C	+ 175 C	+ 175 C
系列 Packaging	Tube	Reel	Tube
Continuous Collector Current Ic Max	20 A	20 A	20 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	100 nA	+/- 100 nA
高度 Height	20.7 mm	4.57 mm	4.57 mm
长度 Length	15.87 mm	10.31 mm	10.31 mm
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	25	800	50
宽度 Width	5.31 mm	9.45 mm	9.45 mm
单位重量 Unit Weight	0.191185 oz	0.009185 oz	0.009185 oz
RoHS	Details	-	Details

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