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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N1184R
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1N1184R

产品描述Rectifiers 100V 35A REV Leads Std. Recovery
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小717KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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1N1184R概述

Rectifiers 100V 35A REV Leads Std. Recovery

1N1184R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流595 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度190 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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1N1183 thru 1N1187R
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 to 300 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-5 Package
V
RRM
= 50 V - 300 V
I
F
= 35 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse voltage
g
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤ 140 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R)
50
35
50
35
595
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
35
595
-55 to 150
-55 to 150
200
140
200
35
595
-55 to 150
-55 to 150
300
210
300
35
595
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 35 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 140 °C
1N1183 (R) 1N1184 (R) 1N1186 (R) 1N1187 (R)
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
1.2
10
10
0.25
Unit
V
μA
mA
°C/W
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
R
thJC
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1

1N1184R相似产品对比

1N1184R 1N1186 1N1184A 1N1186R 1N1183A 1N1184AR
描述 Rectifiers 100V 35A REV Leads Std. Recovery USB Interface IC USB Device Controler w/ Parallel Bus IC Audio Indicators u0026 Alerts 3VDC 30MA 80DBA 2700HZ MOSFET 190 Amp 100 Volt Rectifiers 50V 40A Std. Recovery Rectifiers 100V 40A Std. Recovery
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
厂商名称 GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ANODE CATHODE CATHODE ANODE CATHODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.1 V 1.2 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 595 A 595 A 800 A 595 A 800 A 800 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 190 °C 190 °C 200 °C 190 °C 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 35 A 35 A 40 A 35 A 40 A 40 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V 100 V 200 V 50 V 100 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
Is Samacsys N - N - N N
Base Number Matches 1 - 1 - 1 1

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