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2SD1816T-E

产品描述Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小508KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SD1816T-E概述

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V

2SD1816T-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
制造商包装代码369AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1

2SD1816T-E相似产品对比

2SD1816T-E 2SD1816T-TL-E 2SD1816S-TL-H 2SB1216T-TL-E 2SB1216S-E RG1-2183-DB50Q
描述 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V Bipolar Transistor, -100V, -4A, Low VCE(sat), PNP Single, DPAK / TP-FA, 700-REEL USB Cables / IEEE 1394 Cables USB Embedded Serial Conv 3V3 0.1" Hdr Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 218000ohm, 2000V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel,
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e6 e6 e6 e6 e6 e0
端子数量 3 2 2 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 155 °C
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR CYLINDRICAL PACKAGE
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE Axial
端子面层 Tin/Bismuth (Sn/Bi) Tin/Bismuth (Sn/Bi) Tin/Bismuth (Sn/Bi) TIN BISMUTH Tin/Bismuth (Sn/Bi) Tin/Lead (Sn/Pb)
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor -
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 HALOGEN AND LEAD FREE, SC-63, TP-FA, 3/2 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 LEAD FREE, SC-64, TP, 3 PIN -
针数 3 3 3 3 3 -
制造商包装代码 369AJ 369AH 369AH 369AH 369AJ -
Factory Lead Time 1 week 4 weeks 2 weeks - 2 weeks -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A -
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 200 200 140 200 140 -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 -
元件数量 1 1 1 1 1 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
极性/信道类型 NPN NPN NPN PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W -
表面贴装 NO YES YES YES NO -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 180 MHz 180 MHz 180 MHz 130 MHz 130 MHz -
Base Number Matches 1 1 1 - 1 -

 
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