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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> CMST5088-TR
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CMST5088-TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小473KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CMST5088-TR在线购买

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CMST5088-TR概述

Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW

CMST5088-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer		Central Semiconductor
RoHSDetails
技术
Technology		Si
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		SOT-323-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max30 V
Collector- Base Voltage VCBO35 V
Emitter- Base Voltage VEBO4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage500 mV
Maximum DC Collector Current50 mA
Gain Bandwidth Product fT50 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
Continuous Collector Current50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min350
DC Current Gain hFE Max900
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 65 C
系列
Packaging		Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		275 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		3000
单位重量
Unit Weight		0.000176 oz

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CMST5088
CMST5089
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088,
CMST5089 types are NPN silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a SUPERmini™ surface mount package,
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMST5088: 1QC
CMST5089: 1RC
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMST5088
35
30
4.5
50
275
-65 to +150
455
CMST5089
30
25
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMST5088
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
VCB=20V
VCB=15V
VEB=3.0V
VEB=4.5V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ
f=10Hz to 15.7kHz
-
-
-
-
35
30
4.5
-
-
300
350
300
50
-
-
350
-
50
-
50
-
-
-
-
0.5
0.8
900
-
-
-
4.0
15
1400
3.0
CMST5089
MIN
MAX
-
-
-
-
30
25
4.5
-
-
400
450
400
50
-
-
450
-
-
50
-
100
-
-
-
0.5
0.8
1200
-
-
-
4.0
15
1800
2.0
UNITS
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
R4 (9-February 2010)

CMST5088-TR相似产品对比

CMST5088-TR CMST5088-BK
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
产品种类
Product Category		 Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer		 Central Semiconductor Central Semiconductor
RoHS Details Details
技术
Technology		 Si Si
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 SOT-323-3 SOT-323-3
Transistor Polarity NPN NPN
Configuration Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V 30 V
Collector- Base Voltage VCBO 35 V 35 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4.5 V 4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV 500 mV
Maximum DC Collector Current 50 mA 50 mA
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz 50 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C + 150 C
Continuous Collector Current 50 mA 50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 350 350
DC Current Gain hFE Max 900 900
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 65 C - 65 C
系列
Packaging		 Reel Bulk
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 275 mW 275 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 3000 5000
单位重量
Unit Weight		 0.000176 oz 0.000176 oz

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