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IKP08N65F5

产品描述IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共17页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IKP08N65F5概述

IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

IKP08N65F5规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C18 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
70 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Tube
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
资格
Qualification
AEC-Q100
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500
单位重量
Unit Weight
0.081130 oz

 
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