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IGD01N120H2BUMA1: 产品描述IGBT Transistors IGBT PRODUCTS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小972KB，共13页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IGD01N120H2BUMA1概述

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

IGD01N120H2BUMA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3.2 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	3
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IGD01N120H2BUMA1相似产品对比

	IGD01N120H2BUMA1	IGP01N120H2XKSA1	IGD01N120H2XT
描述	IGBT Transistors IGBT PRODUCTS	IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3	Power Bipolar Transistor, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3.2 A	3.2 A	3.2 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-220AB	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
表面贴装	YES	NO	YES
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	含铅	不含铅	-
零件包装代码	TO-252AA	TO-220AB	-
针数	4	3	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
Factory Lead Time	-	1 week	20 weeks

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