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SPD01N60C3

产品描述Infrared Emitters 24deg, 1.8V, Coaxial 0.7 us Rise and Fall
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小729KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SPD01N60C3概述

Infrared Emitters 24deg, 1.8V, Coaxial 0.7 us Rise and Fall

SPD01N60C3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)20 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.8 A
最大漏极电流 (ID)0.8 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)11 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SPD01N60C3相似产品对比

SPD01N60C3 SPU01N60C3 SPD01N60C3BTMA1 SPU01N60C3BKMA1 SPD01N60C3XT
描述 Infrared Emitters 24deg, 1.8V, Coaxial 0.7 us Rise and Fall MOSFET LOW POWER_LEGACY MOSFET LOW POWER_LEGACY Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 GREEN, PLASTIC, TO-251, IPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 20 mJ 20 mJ 20 mJ 20 mJ 20 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
最大漏源导通电阻 6 Ω 6 Ω 6 Ω 6 Ω 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-251AA TO-252AA TO-251AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A 1.6 A
表面贴装 YES NO YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 -
零件包装代码 TO-252AA TO-251AA TO-252AA TO-251AA -
针数 3 3 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
外壳连接 DRAIN - DRAIN - DRAIN
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin (Sn) TIN Tin (Sn) Tin (Sn) -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED -
Factory Lead Time - 1 week 1 week 1 week -
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